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產(chǎn)品中心

  • BX-Y1243A200A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀
    BX-Y1243A200A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1243A

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1276

    產(chǎn)品描述

    200A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀用于電線束、插接器、開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)、繼電器、汽車(chē)開(kāi)關(guān)等相關(guān)產(chǎn)品之接觸電阻、溫升、電壓降或負(fù)載測(cè)量,同時(shí)也適用于具有類似特性產(chǎn)品使用.
  • BX-Y1243B300A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀
    BX-Y1243B300A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1243B

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1367

    產(chǎn)品描述

    300A綜合型液晶電壓降測(cè)試儀用于電線束、插接器、開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)、繼電器、汽車(chē)開(kāi)關(guān)等相關(guān)產(chǎn)品之接觸電阻、溫升、電壓降或負(fù)載測(cè)量,同時(shí)也適用于具有類似特性產(chǎn)品使用.
  • BX-Y1245200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1245200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1245

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1353

    產(chǎn)品描述

    200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1245A400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1245A400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1245A

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1489

    產(chǎn)品描述

    400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1245B600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1245B600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1245B

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1324

    產(chǎn)品描述

    600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
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